Исследование ростовых дефектов упаковки монокристаллического кремния рентгенотопографическим методом на основе …
узнать большеRequest PDF | On Jun 17, 2008, Khimmatali Juraev and others published Исследование влияния структурных дефектов карбида кремния на ...
узнать большеРентгеновская диагностика дефектов микростр уктуры кристаллов. кремния, облученных ионами водорода. © В.Е. Асадчиков, И.Г. Дьячкова, Д.А. …
узнать большеРост и дефектообразование кристаллов полупроводникового карбида кремния, выращенного по ...
узнать большекристаллах «солнечного» кремния (solar-Si) с нанонаполненными полимерными покрытиями. Уста-новлены характерные особенности магнитостимулированного …
узнать большеВершинные краевые дислокации с векторами Бюргерса Б = ^-(100) с тупым углом, ограничивающие ростовые барьеры Хирта, в случае эффекта Бормана при распространении рентгеновских лучей вдоль оси дислокации и условии ё • Б ...
узнать большеМетодом токовой релаксационной спектроскопии глубоких уровней проведено исследование дефектов в полупроводниковой структуре …
узнать большеВведение диссертации (часть автореферата) на тему «Механические свойства нитевидных кристаллов кремния» Актуальность проблемы. Проблема пластичности и разрушения нитевидных кристаллов (НК) материалов с ...
узнать большеНа основе качественного анализа показано, что в формировании нару-шенного слоя в кристаллах кремния участвуют два типа междоузельных дефектов, …
узнать большеспектра неидеальных 1D фотонных жидких кристаллов от концентрации дефектов | Find, read and cite all the research you need on ...
узнать большеД ля эксперимента использовались кристаллы, выращенные методом зонной плавки в вакууме (зонные) или вытягиванием из расплава по методу Чохральского (тянутые) …
узнать большеРозеточная методика исследования дефектов структуры в Si В случае распространения рентгеновских лучей в кристалле вдоль оси дислокации на топограмме формируется розетка интенсивности, являющаяся прямым ...
узнать большеТочечные дефекты в диоксиде кремния, исследование с помощью численного моделирования : автореферат дис. ... доктора физико-математических наук : 01.04.10 / Научный центр волоконной оптики.
узнать большеМетодами рентгеновской дифракционной топографии исследованы дефекты в многослойных эпитаксиальных структурах на основе кремния, предназначенных для использования в качестве исходного материала для изготовления ...
узнать большеИсследование процессов взаимодействия ио-нов с кристаллами представляется важным как точки зрения использования быстрых ионов для создания приборных …
узнать больше• Подбор режимов травления, получение однослойного пористого кремния, обработка результатов экспериментов, получение и исследование фотонного кристалла на основе пористого кремния. …
узнать большеОсновными дефектами в монокристаллах кремния являются дислокации, микродефекты, скопления примесных атомов в виде преципитатов и др. [1,2]. …
узнать большеИсследования имплантированных образцов кремния проводились на двухкристальном рентгеновском спек-трометре в бездисперсионной схеме с …
узнать большеНа правах рукописи ПЕЩЕРОВА Светлана Михайловна ОСОБЕННОСТИ ФОРМИРОВАНИЯ МИКРОСТРУКТУРЫ ...
узнать большеПроведена имплантация ионов железа с энергиями 90, 250 кэВ и дозой облучения 10 ¹⁶ см ⁻² в монокристалл ...
узнать больше